[发明专利]包括具有底部氮化物衬垫和上氧化物衬垫的浅沟槽隔离(STI)区域的电子器件和相关方法有效
| 申请号： | 201310376795.1 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633131A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 柳青;N·劳贝特;P·卡雷 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 种电子器件可以包括衬底、覆盖衬底的掩埋氧化物(BOX)层、覆盖BOX层的至少一个半导体器件和在衬底中并且与至少一个半导体器件相邻的至少一个STI区域。至少一个STI区域与衬底限定侧壁表面并且可以包括对侧壁表面的底部分加衬的氮化物层、对侧壁表面的在底部分以上的上部分加衬的氧化物层和在氮化物与氧化物层之间的绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 底部 氮化物 衬垫 氧化物 沟槽 隔离 sti 区域 电子器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：衬底；覆盖所述衬底的掩埋氧化物(BOX)层；覆盖所述BOX层的至少一个半导体器件；以及在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域，所述至少一个STI区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：对所述侧壁表面的底部分加衬的氮化物层，对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氧化物层，以及在所述氮化物层和所述氧化物层内的绝缘材料。
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