[发明专利]一种碲化铋基热电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310376295.8 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103413889A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 柏胜强;李菲;吴汀;黄向阳;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碲化铋基热电器件及其制备方法，所述碲化铋基热电器件包括：碲化铋基质层、通过电弧喷涂、等离子喷涂、电镀或化学镀形成于所述碲化铋基质层上的减阻层、以及通过电弧喷涂依次形成于所述减阻层上的阻挡层、应力缓冲层、和电极层。本发明提供的碲化铋基热电器件具有低界面接触电阻率、高界面稳定性且工艺简单稳定的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 热电器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化铋基热电器件，其特征在于，包括：碲化铋基质层、通过电弧喷涂、等离子喷涂、电镀或化学镀形成于所述碲化铋基质层上的减阻层、以及通过电弧喷涂依次形成于所述减阻层上的阻挡层、应力缓冲层、和电极层。
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