[发明专利]利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法有效
| 申请号： | 201310371881.3 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103441102A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李寿胜;邹建安;谢年生 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路。能有效提高激光功能微调后的电路成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 陶瓷 电阻器 单元 修复 混合 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）、修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻，将不合格厚膜电阻用激光切割的方法使其断开与厚膜混合集成电路的电学连接；b.粘片，将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.键合，将陶瓷厚膜电阻器单元通过键合使其与厚膜电路形成电连接；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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