[发明专利]一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法有效
| 申请号： | 201310358162.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103436723A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;张强 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C23/00;H01L35/18 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：1)按Mg2(1+0.02)Si1-xSbx（0≤x≤0.025）各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将步骤1）所得块体引发自蔓延反应完成后自然冷却，均可得到单相Mg2(1+0.02)Si1-xSbx化合物；3）将上述所得产物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si基热电材料。本发明具有反应速度快、工艺简单、高效节能和重复性好等优点，整个制备过程可在0.5h之内完成，并且所得块体热电优值ZT在875K可达0.73。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 性能 mg sub si 热电 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，其特征在于它包括以下步骤：1）按Mg2(1+0.02)Si1‑xSbx（0≤x≤0.025）各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压制成块体； 2）将步骤1）所得块体引发自蔓延反应完成后自然冷却，均可得到单相 Mg2Si化合物；3）将上述所得单相 Mg2Si化合物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si基热电材料。
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