[发明专利]一种具有绒面结构的AZO薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310355170.7 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103400907A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 彭寿;王芸;马立云;崔介东 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有绒面结构的AZO薄膜的制备方法,采用磁控溅射工艺,首先在玻璃基底上预制一层SiO2薄膜,接着再溅射一层呈岛状生长的锡膜将其覆盖,并进行等离子体刻蚀,得到具有类似岛状表面形貌的SiO2薄膜,接下来以其作为后续AZO薄膜(掺铝的氧化锌)溅射法生长的基底模板,使得薄膜能够模仿其表面形貌而生长,最终可直接形成表面具有一定绒度的AZO薄膜,免去常规工艺中的酸刻蚀制绒过程,降低了所需的初始薄膜厚度,以及生产制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 结构 azo 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有绒面结构的AZO薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a、首先在玻璃基底上制备一层厚度为50~100nm的SiO2薄膜,并使其具有岛状的表面形貌,b、接着以岛状结构的SiO2薄膜为基底,采用磁控溅射工艺制备AZO薄膜,使其模仿基底SiO2薄膜的表面形貌生长,并控制膜厚为600~700nm,最终直接形成表面具有一定绒度的AZO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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