[发明专利]静电卡盘以及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310354114.1 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN104377155B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 彭宇霖 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的静电卡盘以及等离子体加工设备,包括用于承载被加工工件的卡盘和基座,卡盘包括卡盘本体、设置在卡盘本体内的静电电极和加热单元,静电电极与直流电源连接,用以采用静电引力的方式将被加工工件固定在卡盘上;加热单元用于加热被加工工件;基座设置在卡盘本体的下方,用以支撑和固定卡盘本体;在卡盘本体和基座之间设置有隔热组件,隔热组件包括膨胀隔热环和冷却单元,其中,膨胀隔热环为闭合的薄壁结构件,其上、下两端分别与卡盘本体和基座密封接触;冷却单元用于冷却膨胀隔热环。本发明提供一种静电卡盘,其可以彻底解决卡盘的隔热问题,从而可以提高静电卡盘的加热效率和加热均匀性。 | ||
搜索关键词: | 静电 卡盘 以及 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种静电卡盘,包括用于承载被加工工件的卡盘和基座,所述卡盘包括卡盘本体、设置在所述卡盘本体内的静电电极和加热单元,所述静电电极与直流电源连接,用以采用静电引力的方式将被加工工件固定在所述卡盘上;所述加热单元用于加热所述被加工工件;所述基座设置在所述卡盘本体的下方,用以支撑和固定所述卡盘本体;其特征在于,在所述卡盘本体和基座之间设置有隔热组件,所述隔热组件包括膨胀隔热环和冷却单元,其中所述膨胀隔热环为闭合的薄壁结构件,其上、下两端分别与所述卡盘本体和基座密封接触;所述冷却单元用于冷却所述膨胀隔热环,所述冷却单元包括冷却媒介源和冷却环,其中,所述冷却环位于所述卡盘本体与基座之间,且环绕在所述膨胀隔热环的内侧或外侧设置,并且在所述冷却环内设置有环形的冷却通道,所述冷却媒介源用于向所述冷却通道内通入冷却媒介。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310354114.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有中介层的封装件及其形成方法
- 下一篇:用于提高衬底载体的性能的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造