[发明专利]形成多晶硅膜的方法、薄膜晶体管和显示装置在审
| 申请号： | 201310348944.3 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681349A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙榕德;李基龙;徐晋旭;郑珉在;李卓泳 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种形成多晶硅膜的方法、一种薄膜晶体管和显示装置。该形成多晶硅膜的方法包括：在基底上形成非晶硅膜；使金属催化剂吸附在非晶硅膜上；通过热处理使非晶硅膜结晶，以形成包括晶粒内部区域和残留有金属催化剂的晶界的多晶硅膜；提供对晶粒内部区域和晶界具有不同的氧化选择性的蚀刻剂；通过蚀刻剂蚀刻多晶硅膜的表面以去除残留在晶界上的金属催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 方法 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种形成多晶硅膜的方法，所述方法包括下述步骤：在基底上形成非晶硅膜；使金属催化剂吸附在非晶硅膜上；通过热处理工艺使非晶硅膜结晶，以形成包括晶粒内部区域和残留有金属催化剂的晶界的多晶硅膜；提供对晶粒内部区域和晶界具有不同的氧化选择性的蚀刻剂；通过蚀刻剂蚀刻多晶硅膜的表面以去除残留在晶界上的金属催化剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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