[发明专利]具有图形化DBR结构的GaN衬底及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有图形化DBR结构的GaN衬底，涉及GaN基发光二极管技术领域。该图形化DBR结构包括衬底、GaN成核层、未掺杂GaN层和DBR层，DBR层为多周期结构，每一周期包括AlxInyGa1-x-yN层和GaN层，其中0

主权项

一种具有图形化DBR结构的GaN衬底，包括衬底、在所述衬底上依次向上生长的GaN成核层、未掺杂GaN层和DBR层，所述DBR层为多周期结构，每一周期包括AlxInyGa1‑x‑yN层和在所述AlxInyGa1‑x‑yN层上的GaN层，其中0

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310344975.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。