[发明专利]一种掺钨的类金刚石涂层及其制备方法有效
申请号: | 201310344882.9 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103451608A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 马胜利 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06;B32B15/04;B32B9/04 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了一种掺钨的类金刚石涂层及其制备方法,该涂层包括沉积于基体表面的Cr底层、制备于Cr底层上的CrC过渡层及制备于CrC过渡层上的掺W的类金刚石层。制备时先将基体进行等离子体清洗,然后开启柱型电弧Cr靶,在基体表面制备Cr底层,再打开平面磁控溅射C靶,在Cr底层上制备CrC过渡层,最后关闭柱型电弧Cr靶,打开平面磁控溅射W靶,在CrC过渡层上制备掺W的类金刚石层。本发明采用电弧与磁控溅射复合镀膜技术,制得的涂层表面光滑致密、涂层硬度高、膜基结合力高、摩擦系数低,具有良好的抗氧化及化学稳定性能,能够满足较高的抗氧化和耐磨减摩性能的要求,具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掺钨的类金刚石涂层,其特征在于:包括沉积于基体表面的Cr底层、制备于Cr底层上的CrC过渡层以及制备于CrC过渡层上的掺W的类金刚石层。
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