[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310343630.4 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390710A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈家洛;吴飞翔;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层以及位于透明导电层上与透明导电层电连接的P电极和位于透明导电层旁侧与N型半导体层电连接的N电极，所述透明导电层上设有若干非均匀分布的开孔图形，所述开孔图形的疏密分布与电流的疏密分布相对应设置。本发明利用透明导电层图形化技术能够使得电流尽量均匀地注入整个LED芯片，使其工作于均匀发光的状态，提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层以及位于透明导电层上与透明导电层电连接的P电极和位于透明导电层旁侧与N型半导体层电连接的N电极，其特征在于，所述透明导电层上设有若干非均匀分布的开孔图形，所述开孔图形的疏密分布与电流的疏密分布相对应设置。
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