[发明专利]方钴矿基热电元件设备及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310338239.5 申请日: 2013-08-05
公开(公告)号: CN104347788B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 陈立东;李菲;黄向阳;顾明;李小亚;夏绪贵;唐云山;何琳;庄承刚 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司
主分类号: H01L35/02 分类号: H01L35/02;H01L35/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 项丹
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及方钴矿基热电元件设备及其制备方法,提供了一种方钴矿基热电元件设备,包括由具有表面的方钴矿基材料形成的热电元件;以及偶联到所述热电元件的表面以用于将电载向所述热电元件或者从所述热电元件载电的至少一个电极,所述至少一个电极包括由至少两种金属形成的电极层,所述电极层覆盖所述热电元件的表面的至少一部分,并直接或间接与所述热电元件的表面的至少一部分连接,其中,所述电极层包括以下之一(i)至少两种金属的合金;以及(ii)多层结构,其中各层包括所述至少两种金属之一。还提供了一种制备方钴矿基热电元件设备的方法。
搜索关键词: 方钴矿基 热电 元件 设备 及其 制备 方法
【主权项】:
一种方钴矿基热电元件设备,包括:由具有表面的方钴矿基材料形成的热电元件;以及偶联到所述热电元件的表面以用于将电载向所述热电元件或者从所述热电元件载电的至少一个电极,所述至少一个电极包括由至少两种金属形成的电极层,所述电极层覆盖所述热电元件的表面的至少一部分,并通过喷涂直接或间接与所述热电元件的表面的至少一部分连接,其中,所述电极层包括:多层结构,其中各层包括所述至少两种金属之一,其中,所述至少两种金属是Cu和Mo。
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