[发明专利]一种TiO2/TiO2Au/Au结构Au电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种TiO2/TiO2Au/Au结构Au电极的制备方法，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，制备TiO2层；再同时对Ti和Au靶材进行溅射，制备TiO2Au混合层；再对Au靶材进行溅射，Au层的沉积厚度为50nm-1000nm；最后取出基片对其进行剥离，即制得所需Au电极。本发明的电极具有较厚的Au层，在高温退火后，仍具有优异的电传导性，而且制备工艺简单、电极性能优良，具有良好的应用前景。

主权项

一种TiO2/TiO2Au/Au结构Au电极的制备方法，电极结构为TiO2/TiO2Au/Au，制备步骤如下：（1）清洗基片及光刻显影a.将基片放入丙酮中超声清洗20分钟，用去离子水冲洗后烘干；b.将烘干后的基片放入酒精中清洗20分钟，用去离子水冲洗后用氮气吹干；c.将光刻胶旋涂在基片上，厚度1um‑4um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光处理；d.使用显影液将电极图形显影出来；（2）将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，在一个溅射靶上装上Ti靶材，在另一个溅射靶上装上Au靶材；（3）当磁控溅射的真空度<1.0×10‑5Torr时，通入氧气和氩气后，开始对Ti靶材进行溅射，制备TiO2层，TiO2层的沉积厚度为3nm‑200nm；（4）步骤（3）停止后，同时通入氧气和氩气，打开Ti靶和Au靶的溅射电源，同时对Ti靶材和Au靶材进行溅射，TiO2Au混合层的沉积厚度为3nm‑200nm；（5）步骤（4）停止后，打开Au靶的溅射电源，对Au靶材进行溅射，Au层的沉积厚度为50nm‑1000nm。（6）步骤（5）停止后，取出基片，对其进行剥离，剥离后即得到所需要的电极。