[发明专利]一种等离子体刻蚀基片的方法有效
| 申请号： | 201310330254.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347390B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李俊良;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体刻蚀基片的方法，通过设置刻蚀过程中，反应腔内温度变化，实现刻蚀过程中反应腔温度相比传统工艺反应腔温度降低，实现在较低温度下减少光刻胶损耗、提高基片刻蚀的选择比的目的。以温度作为刻蚀工艺设计的主要考虑参数，当待刻蚀基片光刻胶层厚度较小或者刻蚀工艺的选择比要求较高时，通过部分工艺或整个工艺的温度调整，保证整个刻蚀工艺中，反应腔内的温度有所降低，保证了光刻胶在刻蚀反应结束前不会完全被损耗，提高了基片刻蚀的选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀基片的方法，所述基片包括光刻胶层和所述光刻胶层下方的目标刻蚀层，所述方法在一等离子体反应腔内进行，其特征在于：设置刻蚀过程中所述反应腔内的温度为第一温度和第二温度，设置刻蚀反应开始阶段反应腔内温度为第一温度，设置刻蚀反应结束阶段反应腔内的温度为第二温度，所述第一温度高于所述第二温度至少5℃，所述第一温度下光刻胶层的刻蚀速率大于所述第二温度下光刻胶层的刻蚀速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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