[发明专利]图像传感器、成像装置及制造图像传感器的装置及方法在审
| 申请号： | 201310329302.9 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579270A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 谷国敬理;山口晋平;万田周治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 成像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种使用互补金属氧化物半导体的背照射式图像传感器，其包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310329302.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
