[发明专利]半导体构件和用于确定半导体构件的半导体材料的状态的方法

摘要

本发明涉及半导体构件（108），其可由流体的至少一个流体成分加载，其中，所述半导体构件（108）具有一衬底（110）、一电极（114）和一接口（116）。所述衬底（110）由一半导体材料构成。所述衬底（110）在第一侧面上具有一衬底触头（112）。所述电极（114）布置在所述衬底（110）的第二侧面上。所述电极（114）通过一绝缘的化学敏感的层（118）与所述半导体材料（110）电绝缘。所述接口（116）为了测量所述接口（116）和所述衬底触头（112）之间的电压而相对于所述电极（114）侧部错开地布置在所述衬底（110）的第二侧面上。所述半导体材料（110）传导性地掺杂在所述接口（116）的区域中。

主权项

1.测量设备（100），其构造用于运行和测试半导体构件（108)，该半导体构件（108）能够由流体的至少一个流体成分加载，其中，所述半导体构件（108）具有下列特征：由半导体材料制成的衬底（110），其中，所述衬底（110）在第一侧面上具有衬底触头（112）；电极（114），其布置在所述衬底（110）的第二侧面上并且通过一化学敏感的绝缘层（118）与所述半导体材料电绝缘；接口（116），用于测量所述接口（116）和所述衬底触头（112）之间的电压，其中，所述接口（116）相对于所述电极（114）侧部错开地布置在所述衬底（110）的第二侧面上，其中，所述半导体材料传导性地掺杂在所述接口（116）的区域中，所述测量设备（100）具有一用于施加的装置（102）、一用于检测的装置（104）和一用于获知的装置（106），其中，所述用于施加的装置（102）与一接地触头（120）和所述电极（114）连接并且构造用于在所述电极（114）和所述接地触头（120）之间施加电压，其中，所述用于检测的装置（104）与所述衬底触头（112）和所述接口（116）连接并且构造用于检测所述接口（116）和所述衬底触头（112）之间的电流作为测量信息，其中，所述用于获知的装置（106）与所述用于施加的装置和所述用于检测的装置连接并且构造用于在使用所述电压和所述电流的情况下获知所述半导体材料的状态，并且其中，所述接口（116）环形地围绕所述电极（114）构造。