[发明专利]一种通孔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310317725.9 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367285A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 曹立强;戴风伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TSV结构，包括：基底(101)，该基底具有一导电结构，且该导电结构上下贯通基底；TSV孔(102)和TSV孔(103)组成的导电结构，该导电结构在径向可以具有不同尺寸也可以是相同尺寸；TSV孔中绝缘材料(104)和TSV孔中绝缘材料(105)组成的侧壁绝缘层，该绝缘层介于基底与导电结构之间。
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