[发明专利]用于高压场平衡金属氧化物场效应晶体管的端接结构及其制备方法

摘要

本发明提出了一种用于高压半导体晶体管器件的端接结构。端接结构由至少两个端接区，以及在本体层和器件边缘之间的断路器构成。配置第一区域，用于扩散器件中的电场。配置第二区域，以便平滑地使电场退回到器件顶面。断路器防止器件的边缘短路。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，该器件包含：一个第一导电类型的半导体衬底；一个第一导电类型的外延层，其沉积在半导体衬底的顶面上，所述外延层包含一个重掺杂的表面屏蔽区，该表面屏蔽区沉积在轻掺杂的电压闭锁区上方；一个有源晶胞阵列，其包含一个与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区，一个第一导电类型的源极区，以及一个沉积在表面屏蔽区顶面附近的栅极、一个沉积在半导体衬底底面上的漏极，若干个形成在表面屏蔽区中的沟槽，其中用沟槽绝缘材料内衬沟槽，用导电沟槽填充材料填充沟槽，配置所述沟槽与表面屏蔽区上方的源极电极电接触，与源极区以及若干个第二导电类型的掩埋掺杂区电接触，其中每个掩埋掺杂区都沉积在若干个沟槽中的其中一个沟槽的下方，其中掩埋掺杂区延伸到与表面屏蔽区的底面深度相同的地方；一个包围着有源晶胞阵列的端接区，该端接区包含两个或若干个区域，以及一个断路器，该断路器用于防止本体层和半导体器件的边缘之间出现短路；所述端接区形成在外延层中，所述端接区包含若干个端接结构，每个端接结构都包含一个沟槽屏蔽电极和一个第二导电类型的掩埋掺杂区，使得沟槽和掩埋区的总深度与表面屏蔽区的深度相同；最靠近有源区的第一区域中的每个所述端接结构都包含一个电接头，该电接头在其沟槽屏蔽电极和靠近有源晶胞阵列的那部分本体层之间；并且第二区域中的每个所述端接结构都包含一个电接头，该电接头在其沟槽屏蔽电极和远离有源晶胞阵列的那部分本体层之间，随着与有源晶胞阵列的距离增大，第二区域中每个端接结构之间的距离也随之增大。