[发明专利]一种6H-SiC高温压力传感器的芯片有效
| 申请号： | 201310316877.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103398806A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;王晓浩;马希民;严子林 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种6H-SiC高温压力传感器的芯片，属于传感器芯片技术领域。该芯片包括四个敏感压阻和敏感膜，共同构成电桥电路。其中，敏感膜采用受力分布均匀、应力集中较少的敏感圆膜。针对6H-SiC材料各向压阻系数同性以及径向与切向应变系数随温度变化趋势不同的特性，四个敏感压阻中的两个布置在敏感圆膜中心位置，另外两个关于中心处的敏感压阻对称布置在敏感圆膜边缘位置，四个敏感压阻均沿径向布置，芯片的信号输出通过电桥电路实现。采用本发明可以最大限度的利用掺杂后的6H-SiC材料的压阻效应，提高6H-SiC高温压力传感芯片的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 高温 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种6H‑SiC高温压力传感器的芯片，该芯片结构包括敏感圆膜（9）和形成电桥电路所需要的四个敏感压阻：第一长压阻（1）、第二长压阻（2）、第三长压阻（10）和第四长压阻（11）；上述四个长压阻都是在经过掺杂的6H‑SiC外延层刻蚀得到的，经溅射后图形化形成的电路将这四个长压阻连接起来，形成完整的电桥电路，其特征在于：所述的第一长压阻（1）和第二长压阻（2）布置在敏感圆膜（9）中心位置，两者相互平行，且沿径向两边对齐；第三长压阻（10）和第四长压阻（11）沿径向布置在敏感圆膜（9）边缘位置，且关于第一长压阻（1）和第二长压阻（2）对称布置，并与第一长压阻（1）和第二长压阻（2）在同一直线上。
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