[发明专利]基于操作温度调整NVM单元偏置条件以降低性能退化的方法和系统有效
| 申请号： | 201310316735.0 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103578543B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 穆复宸;王彦卓 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于对非易失性存储器(NVM)单元的偏置条件进行基于温度的调整以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储基于温度的偏置条件信息。所公开的实施例基于温度测量选择和运用NVM单元的偏置条件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 操作 温度 调整 nvm 单元 偏置 条件 降低 性能 退化 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种集成非易失性存储器NVM系统，包括：非易失性存储器NVM单元的阵列；偏压发生器电路，被配置为生成非易失性存储器NVM单元的偏压；以及控制器电路，被配置为获得与所述非易失性存储器NVM系统有关的操作温度测量，基于温度测量来确定所述非易失性存储器NVM系统的性能退化，以及基于性能退化确定来调整由所述偏压发生器电路生成的偏压的至少一个电压水平，其中所述控制器电路进一步被配置为使用所调整的至少一个电压水平进行所述非易失性存储器NVM系统的存储器操作；其中对于所述存储器操作为编程操作，如果操作温度测量高于阈值操作温度，所述至少一个电压水平包括栅极偏压的电压水平，其被调整为高于默认栅极偏压电压水平；其中对于所述存储器操作为擦除操作，如果操作温度测量低于阈值操作温度，所述至少一个电压水平包括体偏压的电压水平，其被调整为高于默认体偏压电压水平。
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