[发明专利]一种新型结构的硅纳米材料太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310316220.0 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426938A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 邵名望;尹奎;李述汤 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/052;H01L41/18;H01L41/25;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型结构的硅纳米材料太阳能电池及其制备方法，该新型结构的硅纳米材料太阳能电池，包括由上而下依次设置的顶部电极、修饰过的具有压电效应且能够产生内建电场的硅纳米材料、底电极。本发明不借助于传统的p-n结，而是先制备硅纳米材料，然后对其进行修饰使其产生内建电场，再将硅纳米材料组装成膜或形成阵列后，蒸上电极，即可制成太阳能电池，效率可达10%。本发明不需要使用高纯度的硅材料，极大地降低了成本，具有很好的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 纳米 材料 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型结构的硅纳米材料太阳能电池，其特征在于：包括由上而下依次设置的顶部电极、修饰过的具有压电效应且能够产生内建电场的硅纳米材料、底电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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