[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310315154.5 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347477B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层，所述待刻蚀层的材料为低K介质材料；在所述待刻蚀层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为掺氮的碳氧化硅；刻蚀部分所述第一掩膜层，直至暴露出待刻蚀层为止；在刻蚀部分所述第一掩膜层之后，以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成开口；在所述开口内形成填充满所述开口的导电结构。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 待刻蚀层 掩膜层 半导体结构 刻蚀 开口 形貌 低K介质材料 表面形成 衬底表面 导电结构 碳氧化硅 掺氮 衬底 掩膜 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层，所述待刻蚀层的材料为低K介质材料；在所述待刻蚀层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的形成工艺为化学气相沉积工艺，所述化学气相沉积工艺为：气体包括SiH4 、CO2 和N2 O；刻蚀部分所述第一掩膜层，直至暴露出待刻蚀层为止；在刻蚀部分所述第一掩膜层之后，以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成开口；在所述开口内形成填充满所述开口的导电结构；在形成导电结构之前，采用湿法清洗工艺对所述开口的侧壁和底部表面进行清洗，所述湿法清洗工艺的清洗液为氢氟酸溶液，在所述氢氟酸溶液中，水和氢氟酸的体积比为300:1～1000:1；所述清洗液刻蚀所述第一掩膜层的速率与刻蚀待刻蚀层的速率相近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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