[发明专利]一种半导体薄膜生长装置及其生长方法有效
| 申请号： | 201310315026.0 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103388177A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘兴昉;刘斌;郑柳;董林;刘胜北;闫果果;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/14;C30B29/64;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 生长 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。
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