[发明专利]3D磁传感器的形成方法有效
| 申请号： | 201310315009.7 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400935A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴;张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种3D磁传感器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层中的沟槽，沟槽的深度小于绝缘层的厚度；形成磁性材料层，磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在磁性材料层上形成TaN层；在TaN层上形成填充材料层，填充材料层填充满沟槽；在填充材料层上形成图形化的光刻胶层，以图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀填充材料层；干法刻蚀去除沉积在图形化的光刻胶层上表面和侧面的Ta基聚合物，Ta基聚合物是在刻蚀填充材料层过程形成；以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀TaN层；去除图形化的光刻胶层和剩余填充材料层；刻蚀磁性材料层形成磁阻层。去除Ta基聚合物，避免了TaN层表面电阻增大。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种3D磁传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有绝缘层、位于所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽的深度小于所述绝缘层的厚度；形成磁性材料层，所述磁性材料层覆盖绝缘层、沟槽的底部和侧壁，在所述磁性材料层上形成TaN层；在所述TaN层上形成填充材料层，所述填充材料层填充满沟槽；在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义磁阻层的位置，以所述图形化的光刻胶层为掩模，等离子体刻蚀所述填充材料层至TaN层表面停止；使用干法刻蚀去除沉积在图形化的光刻胶层上表面和侧面的Ta基聚合物，所述Ta基聚合物是在等离子体刻蚀所述填充材料层过程中产生；去除所述Ta基聚合物后，以图形化的光刻胶层为掩模刻蚀TaN层；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；在去除所述图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层之前或之后,刻蚀所述磁性材料层形成磁阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310315009.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种砂灰连续输料装置
- 下一篇：一种拉伸膜包装机的上膜拉伸成型装置
