[发明专利]成膜装置和成膜方法

摘要

本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。

主权项

一种成膜装置，其用于在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，该成膜装置包括：旋转台，其用于使载置基板的基板载置区域公转；第1处理气体供给部，为了随着上述旋转台的旋转而在基板上依次层叠分子层或原子层以形成吸附层，该第1处理气体供给部在处理区域向基板供给处理气体；第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部分开地设置，用于向上述基板载置区域供给与自上述第1处理气体供给部供给的处理气体发生反应的气体，以与上述吸附层反应而形成反应层；加热部，其用于将基板加热到形成薄膜的成膜温度；等离子体处理部，其在上述旋转台的旋转方向上与上述第1处理气体供给部和上述第2处理气体供给部分开地设置，用于利用使等离子体产生用气体等离子体化而生成的等离子体来对上述反应层进行改性；加热灯，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设于该旋转台的上方侧，用于向该基板照射基板的吸收波长区域的光而将基板加热到比上述成膜温度高的温度；以及控制部，其用于输出控制信号，以重复进行通过上述旋转台的旋转来形成上述吸附层的步骤、形成上述反应层的步骤和利用等离子体来对上述反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜，之后，停止处理气体的供给，利用上述加热灯来加热基板，从而对上述薄膜进行改性。