[发明专利]接触插塞及其制造方法

摘要

本发明提供一种接触插塞及其制造方法，包括提供一硅基板，其具有至少一开口；于开口内顺应性形成一钛层；于开口内的钛层上顺应性形成一第一阻障层；对钛层及第一阻障层实施一快速热处理；以及在实施该快速热处理之后，于开口内的第一阻障层上顺应性形成一第二阻障层。本发明能够避免造成氮化钛层破裂而在开口底部角落形成裂缝，而使接触插塞内的导电材料穿过氮化钛层的裂缝扩散至外部，形成电晶体的漏电路径，导致电晶体漏电流增加的情况出现。

主权项

一种接触插塞的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一硅基板，其具有至少一开口；通过该开口，于该开口底部的该硅基板内形成一掺杂区；于该开口内顺应性形成一钛层；于该开口内的该钛层上顺应性形成一第一阻障层；对该钛层及该第一阻障层实施一快速热处理；以及在实施该快速热处理之后，于该开口内的该第一阻障层上顺应性形成一第二阻障层，该第二阻障层延伸进入位于该开口底部角落的该第一阻障层内。