[发明专利]一种晶圆的抛光方法在审
| 申请号： | 201310303957.9 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103394994A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的晶圆的抛光方法，在1个抛光盘上和在线监测曲线的监控下完成整个抛光过程，包括：在高压力和高转速的条件下对晶圆表面进行第一次抛光；当在线监测曲线的变化量为最高强度和抛光终点强度的差值的2/3时，停止抛光，用清洗液对晶圆表面进行第一次清洗，同时用抛光垫修复盘对抛光垫进行修复；在中等压力和中等转速的条件下对晶圆表面进行第二次抛光；当在线监测曲线捕捉到抛光终点时，停止抛光，用清洗液对晶圆表面进行第二次清洗；采用低压力和中等转速对晶圆表面进行过抛光，将绝缘层上的半导体材料完全去除掉；用清洗液对晶圆表面进行第三次清洗。本发明有效降低了晶圆表面残留物的沉积和腐蚀，过程简单可控，提高了晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的抛光方法，所述晶圆包括绝缘层和位于所述绝缘层上的半导体材料，其特征在于，在1个抛光盘上和在线监测曲线的监控下完成整个抛光过程，包括：步骤S01：在高压力和高转速的条件下对所述晶圆表面进行第一次抛光；步骤S02：当所述在线监测曲线的变化量为所述曲线上显示的最高强度和抛光终点强度的差值的2/3时，停止抛光，用清洗液对所述晶圆表面进行第一次清洗，同时用抛光垫修复盘对所述抛光垫进行修复；步骤S03：在中等压力和中等转速的条件下对所述晶圆表面进行第二次抛光；步骤S04：当所述在线监测曲线捕捉到抛光终点时，停止抛光，用所述清洗液对所述晶圆表面进行第二次清洗；步骤S05：采用低压力和中等转速对所述晶圆表面进行过抛光，将所述绝缘层上的半导体材料完全去除掉；步骤S06：用所述清洗液对所述晶圆表面进行第三次清洗。
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