[发明专利]一种铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310303061.0 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103400895A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 于冰;杨春雷;程冠铭;冯叶;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，包括：将铜、锌、锡及硫四种元素沉积于衬底表面，以形成铜锌锡硫前驱体；将铜锌锡硫前驱体置于真空环境中，并通入由保护气体和硫化氢气体组成的混合气体；将上述铜锌锡硫前驱体以6.25℃/min～13.75℃/min的升温速率从室温升温至150℃～300℃，并保温10min～20min；再以5℃/min的升温速率升温至480℃，并保温20min～30min；再以5℃/min的升温速率升温至500℃，并保温15min后自然冷却至室温，在衬底表面得到铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜。通过上述制备方法，从而形成均匀的，致密的铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 太阳能电池 吸收 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S110：提供一衬底；步骤S120：将铜、锌、锡及硫四种元素沉积于所述衬底表面，以形成铜锌锡硫前驱体；步骤S130：将所述铜锌锡硫前驱体置于真空环境中，并通入由保护气体和硫化氢气体组成的混合气体，其中，所述硫化氢气体的浓度为1%～5%；步骤S140：将上述铜锌锡硫前驱体以6.25℃/min～13.75℃/min的升温速率从室温升温至150℃～300℃，并保温10min～20min；步骤S150：以5℃/min的升温速率升温经步骤S140后的反应物至480℃，并保温20min～30min；步骤S160：以5℃/min的升温速率升温经步骤S150后的反应物至500℃，并保温15min后自然冷却至室温，在衬底表面得到铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
