[发明专利]防止在半导体加工过程中产生蚀刻电弧的系统和方法有效
| 申请号： | 201310302532.6 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104051433B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐鸿文;吴东庭;卢玠甫;杜友伦;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 半导体 加工 过程 产生 蚀刻 电弧 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，包括：衬底，所述衬底具有前侧和背侧；至少一个电路元件，位于所述前侧上或所述前侧上方；多个材料层，位于所述背侧上方，其中，所述多个材料层包括：第一材料层，位于所述衬底的所述背侧上方；以及抗电弧层，放置在所述第一材料层上方，以使所述抗电弧层在所述第一材料层上方提供导电表面，所述抗电弧层被蚀刻以形成穿过所述抗电弧层延伸的开口，其中，所述抗电弧层由导电材料制成且不是导电功能层。
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