[发明专利]包括集成电容器的半导体器件以及制造方法有效
| 申请号： | 201310298042.3 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545309B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | P·巴尔;S·若布洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，包括：晶片，包括衬底晶片(11)并且具有前部面(11a)和朝向后部打开的后部孔(55)，并且所述后部孔(55)至少部分地形成在所述衬底晶片(11)中并且具有底部(58)，以及柱体(56，57)形式的多个电容器(C1，C2)，其关于所述后部孔(55)的所述底部(58)朝向突出到所述后部孔(55)中的所述后部行进并且其彼此分离，每个电容器包括：内导电层或者部分(32，33；37，38)，形成内电极(Eint)并且具有前部电连接表面(26a，28a)，外导电层(30，35)，形成外电极(Eext)并且具有处于所述后部孔中的后部电连接表面，以及在所述内层和所述外层之间的中间电介质层(31，36)，形成在所述电极之间的分离层(Cs)。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体器件 电连接表面 衬底晶片 中间电介质层 集成电容器 彼此分离 内导电层 外导电层 分离层 内电极 前部面 外电极 电极 晶片 内层 前部 柱体 行进 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶片，包括衬底晶片(11)并且具有前部面(11a)和朝向后部打开的后部孔(55)，并且所述后部孔(55)至少部分地形成在所述衬底晶片(11)中并且具有底部(58)，以及柱体(56，57)形式的多个电容器(C1，C2)，其关于所述后部孔(55)的所述底部(58)朝向突出到所述后部孔(55)中的所述后部行进并且其彼此分离，每个电容器包括：内导电层或者部分(32，33；37，38)，形成内电极(Eint)并且具有前部电连接表面(26a，28a)，导电外层(30，35)，形成外电极(Eext)并且具有处于所述后部孔中的后部电连接表面，以及在所述内导电层和所述外层之间的中间电介质层(31，36)，形成在所述电极之间的分离层(Cs)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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