[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法有效
| 申请号： | 201310294419.8 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104282518A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;苏兴才 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.执行基片制程，然后将基片移除出腔室以外；c.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。同时，由于不含氟的聚合物层的保护作用，基片制程过程中和清洁过程中对强势组件造成的腐蚀被大大降低，因此强势组件的使用寿命大大延长，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.执行基片制程，然后将基片移除出腔室以外；c.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。
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