[发明专利]一种低温制备耐磨微晶氧化铝陶瓷的方法无效

专利信息
申请号: 201310289270.4 申请日: 2013-07-11
公开(公告)号: CN103342545A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 胡成;吴伯麟;刘君昌 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种低温制备耐磨微晶氧化铝瓷的方法。(1)按原料各组分质量百分比为氧化铝粉70%-99.7%、钙的化合物或矿物为0.05-15%、镁的化合物或矿物为0.05-15%以及硅的化合物或矿物为0.1-10%进行配料;(2)球磨24-72小时,混均、粉碎;控制粉体粒径为0.3-3μm;其中加水量与原料质量比为1:3-3:1;(3)浆料干燥后,采用等静压,滚压成型或轴压成型,制得坯体。(4)所得坯体在空气气氛或还原气氛即CO、H2或N2中烧结,烧结温度为1150-1650℃,保温10-300分钟,冷却至室温制得耐磨氧化铝陶瓷材料。本发明原料来源广泛,工艺简单,烧成温度低,易于工业生产,通过复合添加剂的加入,调控氧化铝陶瓷的烧结温度和烧成时间,制备出耐磨性能优异的微晶氧化铝陶瓷。
搜索关键词: 一种 低温 制备 耐磨 氧化铝陶瓷 方法
【主权项】:
一种制备氧化铝陶瓷的方法,其特征在于具体步骤为:(1)按原料各组分质量百分比为氧化铝粉70%‑99.7 %、钙的化合物或矿物为0.05‑15%、镁的化合物或矿物为0.05‑15%以及硅的化合物或矿物为0.1‑10%进行配料,原料各组分的质量百分比之和为100%,且钙的化合物或矿物、镁的化合物或矿物以及硅的化合物或矿物的质量比为3:1:2‑1:3:2;(3)将步骤(1)配好的料加水,球磨24‑72小时,混均、粉碎;控制粉体粒径为0.3‑3μm;其中加水量与原料质量比为1:3‑3:1;(4)将步骤(3)得到的粉体干燥后,采用等静压,滚压成型或轴压成型,制得坯体;(5)将步骤(4)所得坯体在空气气氛或还原气氛即CO、H2或N2中烧结,烧结温度为1150~1650℃,保温10‑300分钟,冷却至室温制得耐磨氧化铝陶瓷材料;所述钙的化合物为氧化钙的质量百分比大于45%的化合物,含钙的矿物为石灰岩、方解石和白垩岩中的一种;所述镁的化合物为氧化镁的质量百分比大于45%的化合物,含镁的矿物为水镁石、菱镁矿、坡缕石和白云石中的一种;所述硅的化合物为氧化硅的质量百分比大于40%的化合物,含硅的矿物为高岭土、透辉石、蒙脱石、叶蜡石、滑石和蛇纹石中的一种。
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