[发明专利]制备多晶硅还原生产用混合气供料的方法无效
申请号: | 201310287574.7 | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN103408018A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 石何武;严大洲;肖荣晖;汤传斌;毋克力;杨永亮;郑红梅 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志东 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备多晶硅还原生产用混合气供料的方法。该方法包括将氢气、三氯氢硅液体和二氯二氢硅液体的混合物进行汽化过程,以便获得多晶硅还原生产用混合气供料。由此,不仅可以提高三氯氢硅的一次转化率,进而提高多晶硅在还原炉内的沉积速率;还可以通过控制参数调整过程中诱发二氯二氢硅的气相沉积,从而提高了三氯氢硅的还原利用率。 | ||
搜索关键词: | 制备 多晶 还原 生产 混合 供料 方法 | ||
【主权项】:
一种制备多晶硅还原生产用混合气供料的方法,其特征在于,将氢气、三氯氢硅液体和二氯二氢硅液体的混合物进行汽化过程,以便获得多晶硅还原生产用混合气供料。
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