[发明专利]半导体芯片分离方法在审
| 申请号： | 201310283250.6 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103633022A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | W·F·博格奥特;D·L·柯奈尔;M·J·塞登;J·A·尤德 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明涉及半导体芯片分离方法。在一个实施方案中，半导体芯片通过下列步骤从具有背金属层的半导体晶圆分离：将半导体晶圆放置于载带上，使背金属层与载带相邻；形成穿过半导体晶圆的分离线以在分离线内暴露背金属层；以及流体加工半导体晶圆以从分离线移除背金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种从半导体晶圆分离半导体芯片的方法，其包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成在所述半导体晶圆上并且彼此间隔开间距的多个半导体芯片，其中半导体层具有第一和第二相对的主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成；将所述半导体晶圆放置于第一承载基底上，其中所述材料层与所述第一承载基底相邻；通过所述间距分离所述半导体晶圆以形成分离线，其中分离包括在接近于所述材料层处停止；以及使用加压流体从所述分离线移除所述材料层的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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