[发明专利]一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法有效

专利信息
申请号: 201310282762.0 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103361739A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 李茂林;涂宏波;王学林;刘自龙;李仙德;陈康平;金浩 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C23F1/40;C23F3/00;H01L31/18
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 吴关炳
地址: 314416 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法,其采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构,所述碱槽分为两个独立的部分,分别为浸泡区和喷淋区,两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能,所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液的功能;在所述碱槽的浸泡区采用“水上漂”的方式,通过碱液的腐蚀完成背抛光,在所述碱槽的喷淋区采用喷淋的方式,对硅片的正表面和背面进行喷淋,去除硅片表面的多孔硅。本发明能够在不影响硅片正面的情况下,实现太阳能电池生产中背抛光的目标,操作简单,效果优越。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 生产 实施 抛光 方法
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法,其特征在于,采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构,所述碱槽分为两个独立的部分,分别为浸泡区和喷淋区,两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能,所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液的功能;在所述碱槽的浸泡区采用“水上漂”的方式,通过碱液的腐蚀完成背抛光,在所述碱槽的喷淋区采用喷淋的方式,对硅片的正表面和背面进行喷淋,去除硅片表面的多孔硅。
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