[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置无效

专利信息
申请号: 201310282643.5 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103531489A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 川上晋;有福征宏 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/67
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置。半导体装置的制造方法具有如下连接工序:在放置于平台上的光透过性基板上隔着光固化性粘接层配置半导体元件,通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将半导体元件连接在光透过性基板上,在连接工序中,在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层,通过光反射层使来自光照射装置的光反射而照射在粘接层上,从而使粘接层固化。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 以及
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其是具有如下连接工序的半导体装置的制造方法,所述连接工序为:在放置于平台上的光透过性基板上隔着光固化性粘接层配置半导体元件,通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将所述半导体元件连接在所述光透过性基板上,在所述连接工序中,在与所述粘接层相比更靠近所述平台的位置设置光反射层,通过所述光反射层使来自所述光照射装置的光反射而照射在所述粘接层上,从而使所述粘接层固化。
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