[发明专利]一种增强型硅基光电二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种增强型硅基光电二极管及其制作方法。光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱上设有P阱，P阱上设有低掺杂的N型层，低掺杂N型层上注入了条纹状P+阳极，条纹状P+阳极与低掺杂N型层形成具有紫外/蓝紫光增强响应的光电二极管结构。低掺杂的N型层与P阱形成寄生光电二极管，P阱与高压N阱形成寄生二极管，两二极管成背对背结构，电极引出端形成短路结构，有效隔离并降低了器件对可见/近红外光的响应程度，大幅度提高了器件的紫外选择性。器件版图设计成八边形环状结构，有效降低边缘击穿效应。感光窗口设计成环形条纹状结构，提高了紫外响应度和量子效率，降低了响应时间。

主权项

一种增强型硅基光电二极管，其特征在于，包括: P型硅衬底；设置在所述P型硅衬底上的高压N阱层；设置在所述高压N阱层上的P阱层；设置在所述P阱层上的低掺杂N型层；设置在所述低掺杂N型层上，形成条纹状八边环形，构成感光阳极以及导电阳极的第一P+注入层；构成所述P型硅衬底电极引出端的第二P+注入层；构成所述高压N阱层电极引出端的第一N+注入层；构成所述P阱层电极引出端的第三P+注入层；构成所述低掺杂N型层电极引出端的第二N+注入层，所述第二N+注入层构成器件的导电阴极；其中：所述构成电极引出端的第一N+注入层、第三P+注入层和第二N+注入层通过金属铝连接；所述设置在所述低掺杂N型层上，形成条纹状八边环形，构成感光阳极以及导电阳极的第一P+注入层与所述低掺杂N型层形成光电二极管结构；所述低掺杂的N型层与所述P阱层形成第一寄生光电二极管结构；所述P阱层与所述高压N阱层形成第二寄生二极管结构；所述第一寄生二极管和第二寄生二极管成背对背构造。