[发明专利]半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法。在所述半导体器件的形成方法中，半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层表面位置高于器件稀疏区上的半导体材料层位置，因而在器件稀疏区上的半导体材料层上覆盖掩膜层，向密集区上部分厚度的半导体材料层内注入离子形成离子注入区域，之后去除所述离子注入区域。其中，在注入离子后，改变了离子注入区域内的半导体材料特性，使半导体材料层的离子注入区域与非离子注入区域的性质发生差异，进而在后续去除离子注入区域的过程中，对非离子注入区域的半导体材料层几乎不产生影响，从而使最终获得的器件稀疏区和密集区的半导体材料层的高度接近一致，提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件密集区和器件稀疏区；在半导体衬底上方形成半导体材料层，所述器件稀疏区上的所述半导体材料层上表面位置低于所述器件密集区上的所述半导体材料层上表面位置；在所述器件稀疏区的半导体材料层上形成掩膜层；向所述器件密集区的部分厚度的半导体材料层中注入离子，形成离子注入区域，所述离子注入区域的底部位置与所述器件稀疏区的半导体材料层表面的高度差为±80埃，离子注入区域形成的具体工艺包括：在形成所述掩膜层后，以5KeV～200KeV的离子注入能量向所述半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层内注入剂量为1.0x1015/cm2～5.0x1020/cm2的离子，以形成所述离子注入区域，所述离子注入区域的深度为500～1000A；去除所述器件稀疏区的所述掩膜层后，去除所述器件密集区的所述离子注入区域，去除所述离子注入区域的方法为CMP，所述CMP采用的研磨浆液对于所述离子注入区域和离子注入区域之外的所述半导体材料层的研磨选择比大于4，在去除所述离子注入区域后，器件密集区上的半导体材料层表面高度和器件稀疏区上的半导体材料层的表面高度一致。