[发明专利]一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310275972.7 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103422058A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李东升;谢敏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/36;C09K11/63 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用共溅射制备掺硼富硅氧化硅薄膜，并通过之后的高温热处理在氧化硅薄膜内生成掺硼的硅纳米晶。由于掺硼硅纳米晶的形成，薄膜的导电性增强；由于硼还处于氧化硅基体中及硅纳米晶和氧化硅基体界面处，引入了发光中心，增强了薄膜的光致发光，并使其可以宽光谱白光发光。发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光，太阳能电池，非线性光学等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺硼富硅 氧化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺硼富硅氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将电阻率为ρ=0.01～500Ω.cm的硅片清洗后作为衬底，将衬底加热至50‑500℃；（2）在真空度为8×10‑4～5×10‑3Pa下，通入高纯Ar和高纯O2混合气体，利用射频溅射对硅靶和硼靶进行反应共溅射，在衬底上沉积薄膜；（3）惰性气氛下，对步骤（2）得到的薄膜进行热处理，即得到掺硼富硅氧化硅薄膜。
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