[发明专利]一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310275859.9 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103346227A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞霞;张晓洁;王静辉;田汉民 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300401 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，涉及具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，结构是：以氮化镓基发光二极管芯片业界常规生长好的LED外延结构的外延片为基片，该基片从下到上的构成分别为，蓝宝石衬底、GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区和Mg掺杂的p型GaN层，再交替沉积1层～6层SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构层，再复合金属Al膜构成反射电流阻挡层，最后配以氮化镓基发光二极管芯片业界常规的ITO透明导电层，解决了现有技术中p金属电极处的电流拥挤效应，克服了金属电极吸收光子导致LED芯片发光效率下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于结构是：以氮化镓基发光二极管芯片业界常规生长好的LED外延结构的外延片为基片，该基片从下到上的构成分别为，蓝宝石衬底、GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区和Mg掺杂的p型GaN层，在上述基片的Mg掺杂的p型GaN层上，交替沉积1层～6层SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构层，每一SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构层的厚度满足d1=λ0/4n1,d2=λ0/4n2，其中d1为SiO2的厚度，n1为SiO2的折射率,d2为TiO2的厚度，n2为TiO2的折射率，λ为入射光中心波长，在上述SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构上再复合金属Al膜构成反射电流阻挡层，在该反射电流阻挡层上配以氮化镓基发光二极管芯片业界常规的ITO透明导电层。
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