[发明专利]LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201310274853.X | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103346226A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张宇;赖穆人 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构及其生长方法。该外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在GaN缓冲层上；量子阱层，设置在N型GaN层上；P型GaN层，设置在量子阱层上。上述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在第一N型GaN层上；第三N型GaN层，设置在第二N型GaN层上。上述N型GaN层包括交替设置的Si-Al-GaN层和Si-GaN层。本发明提供的LED外延结构生长方法利用交替式掺杂Si和Al的方式生长N型GaN层，获得Si-Al-GaN/Si-GaN层的周期性结构。采用本发明提供的LED外延结构的生长方法所制作LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在所述GaN缓冲层上；量子阱层，设置在所述N型GaN层上；以及P型GaN层上，设置在所述量子阱层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310274853.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
