[发明专利]一种制备MgxZn1-xO 合金薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310272264.8 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103343316A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 赵莉 | 申请（专利权）人： | 彩虹集团公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 712021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种制备MgxZn1-xO合金薄膜的方法，向经清洗和预处理的玻璃基底上溅射沉积并生长氧化锌缓冲层，其中所用的溅射靶材为Zn靶，并通入Ar和O2；再利用双靶溅射仪在氧化锌缓冲层上溅射沉积并生长MgxZn1-xO层，退火，得MgxZn1-xO合金薄膜，0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 mg sub zn 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备MgxZn1‑xO合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）向经过清洗和预处理的玻璃基底上溅射沉积并生长氧化锌缓冲层，其中所用的溅射靶材为Zn靶，在Ar保护下进行溅射沉积，并通入O2作为反应气体；2）利用双靶溅射仪在氧化锌缓冲层上溅射沉积并生长MgxZn1‑xO层，然后退火，得到MgxZn1‑xO合金薄膜，其中0
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