[发明专利]传感器及其制造方法

摘要

公开一种传感器及其制造方法，该方法包括：提供结晶半导体基板；形成第一图案化沟槽结构于结晶半导体基板中；形成一第二图案化沟槽结构于第一图案化沟槽结构中，第二图案化沟槽结构的宽度小等于第一图案化沟槽结构的宽度；形成深宽比捕获材料于第一图案化沟槽结构与第二图案化沟槽结构中，形成于第二图案化沟槽结构中的深宽比捕获材料具有差排缺陷，位于第一图案化沟槽结构中的该深宽比捕获材料不会出现差排缺陷；制作一光检测器，形成于深宽比捕获材料上或于深宽比捕获材料中，以输出电子，电子是于光检测器中通过光吸收所产生。本发明利用深宽比捕获材料将以非硅为主体的半导体元件整合于硅工艺中，且该光感测元件具有相对大的微米尺寸。

主权项

一种传感器的制造方法，包括：提供一结晶半导体基板；形成一第一图案化沟槽结构于该结晶半导体基板中；形成一第二图案化沟槽结构于该第一图案化沟槽结构中，其中该第二图案化沟槽结构具有一宽度，该宽度等于或小于该第一图案化沟槽结构的宽度；形成一深宽比捕获材料于该第一图案化沟槽结构与该第二图案化沟槽结构中，其中形成于该第二图案化沟槽结构中的该深宽比捕获材料具有差排缺陷，而位于该第一图案化沟槽结构中的该深宽比捕获材料不会出现差排缺陷；以及制作一光检测器，形成于该深宽比捕获材料上或于该深宽比捕获材料中，以输出电子，该电子是于该光检测器中通过光吸收所产生。