[发明专利]低损耗串联电容均压装置无效
| 申请号： | 201310271104.1 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103337955A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杜强;沈煜;张晋茂 | 申请（专利权）人： | 浙江省能源与核技术应用研究院 |
| 主分类号： | H02M3/06 | 分类号： | H02M3/06 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 韩小燕 |
| 地址： | 310012 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低损耗串联电容均压装置。本发明的目的是提供一种结构简单、可靠性高、成本低的低损耗串联电容均压装置。本发明的技术方案是：低损耗串联电容均压装置，它包括串联于直流母线正负极之间的电容器组C1和C2，以及分别与电容器组C1和C2并联的开关管Q1和Q2；所述开关管Q1为N沟道MOS管，其漏极接直流母线的正极，源极电连接有用于限制放电电流的电阻R1，该电阻R1另一端与电容器组C1和C2的串联中点电连接，栅极与源极之间电连接有电阻R2；所述开关管Q2为P沟道MOS管，其漏极接直流母线的负极，源极与开关管Q1的源极电连接，栅极与漏极之间电连接有电阻R3；所述开关管Q1的栅极与开关管Q2的栅极电连接，且电阻R2和R3的阻值相同。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 串联 电容 装置 | ||
【主权项】：
一种低损耗串联电容均压装置，其特征在于：它包括串联于直流母线正负极之间的电容器组C1和C2，以及分别与电容器组C1和C2并联的开关管Q1和Q2；所述开关管Q1为N沟道MOS管，其漏极接直流母线的正极，源极电连接有用于限制放电电流的电阻R1，该电阻R1另一端与电容器组C1和C2的串联中点电连接，栅极与源极之间电连接有电阻R2；所述开关管Q2为P沟道MOS管，其漏极接直流母线的负极，源极与开关管Q1的源极电连接，栅极与漏极之间电连接有电阻R3；所述开关管Q1的栅极与开关管Q2的栅极电连接，且电阻R2和R3的阻值相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江省能源与核技术应用研究院，未经浙江省能源与核技术应用研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310271104.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直驱节能型缝制设备控制系统调速器
- 下一篇：一种遥控型照明用应急电源装置
