[发明专利]一种Nand存储器及数据存储方法在审
| 申请号： | 201310270348.8 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104252417A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李海 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand存储器及数据存储方法，该Nand存储器，该Nand存储包括：一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区，其中，所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。本发明所提供的方法和装置是在一个Nand存储器中划分出单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区，使得一个Nand存储器中可以兼顾单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 数据 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种形成Nand存储器的方法，其特征在于，该方法包括：在对Nand存储器创建分区时，接收用于进行分区的分区参数，并写入到所述Nand存储器的内嵌式存储器芯片中，其中，所述分区参数包括各分区的起始地址、各分区的区域大小以及各分区的单层式储存SLC/多层式储存MLC属性；根据所述分区参数将所述Nand存储器划分出一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区，其中所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。
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