[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其生长方法无效
| 申请号： | 201310268414.8 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103337572A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 罗绍军;李鸿建;艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基LED外延结构及其生长方法。该GaN基LED外延结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、第一电子储存区、GaN隔层、第二电子储存区、有源区多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层。本发明的GaN基LED外延结构及其生长方法，能够减小有源区材料的应力，提高GaN基LED的发光效率，提高晶体材料质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非故意掺杂u‑GaN层、N型掺杂GaN层、第一电子储存区、GaN隔层、第二电子储存区、有源区多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层。
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