[发明专利]一种多晶硅片开路电压的预测方法有效
| 申请号： | 201310263287.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103364704A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 付少永;熊震 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅片开路电压的预测方法。本发明利用了CCD成像技术和光致发光（PL）成像技术，从多晶硅片CCD图像中提取出预期的光生电流IL，从PL图中提取出反向饱和电流I0，并以此为依据来预测多晶硅片的开路电压Voc。本发明还公开了基于开路电压预测结果来分拣多晶硅片的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 开路 电压 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅片开路电压预测方法，包括：a)采集多晶硅片的光致发光PL图像和CCD图像；b)处理所采集的PL图像以从中提取出永久缺陷信息；c)基于经处理的PL图像计算![]()
其中βi表示经处理的PL图像中一点的亮度值；d)基于所采集的CCD图像计算（k2-α），其中α为CCD图像的平均亮度值；以及e)将![]()
和（k2-α）代入开路电压Voc预测公式1：V oc = kT q ln ( k 1 k 2 - α k 3 + β )
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