[发明专利]磁传感装置的制造工艺有效
| 申请号： | 201310261010.6 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253210B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张挺;万旭东 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/146;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺，包括在基底上形成介质材料层；沉积磁性材料及保护材料；通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；沉积阻挡材料；沉积导电材料；通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保障磁传感器件的性能；去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。本发明采用阻挡层保护磁性材料，避免了此层介质材料层的采用，还可以减少一层光刻层，降低了成本。此外，本发明工艺有助于提升金属与磁性材料保护层的接触，从而提高器件性能，提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 装置 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种磁传感装置的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺包括如下步骤：步骤S1、在基底上形成介质材料层；步骤S2、沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；步骤S3、通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；步骤S4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；步骤S5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；步骤S6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺破坏；步骤S7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；步骤S8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。
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