[发明专利]场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310260078.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337519A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其形成方法，其中该场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，栅堆叠包括栅介质以及形成在栅介质上方的栅电极。本发明的场效应晶体管及其形成方法具有结构简单、工艺兼容、关态电流低、散热好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，所述超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在所述超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在所述超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质以及形成在所述栅介质上方的栅电极。
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