[发明专利]熔丝器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310259974.7 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104253083A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李志国;查源卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种熔丝器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有焊垫区以及熔丝区，所述焊垫区具有焊垫，所述熔丝区具有熔丝；在所述衬底上制备一钝化层；去除部分厚度的所述熔丝区的所述钝化层，以使所述熔丝上方的所述钝化层剩余至一预定厚度；选择性去除所述焊垫区的所述钝化层，以露出所述焊垫。本发明的熔丝器件的制备方法，在选择性去除所述焊垫区的所述钝化层的步骤中，所述焊垫未处于裸露状态，从而减少所述焊垫裸露的次数，以减少所述焊垫被腐蚀的次数，进一步地减少或消除焊垫的表面的缺陷，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种熔丝器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有焊垫区以及熔丝区，所述焊垫区具有焊垫，所述熔丝区具有熔丝；在所述衬底上制备一钝化层；去除部分厚度的所述熔丝区的所述钝化层，以使所述熔丝上方的所述钝化层剩余至一预定厚度；去除所述焊垫区的所述钝化层，以露出所述焊垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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