[发明专利]Trench FS结构的绝缘栅双极型晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种Trench FS结构的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：在晶圆背面形成FS层；在晶圆正面形成蚀刻槽，相邻的两个蚀刻槽之间形成Pboldy区前体；在蚀刻槽上沉积形成致密性栅氧层；在致密性栅氧层上沉积多晶硅栅；对Pbody区前体进行注入和扩散，得到Pbody区，Pbody区与致密性栅氧层直接接触且裸露在外的区域称为源区前体；对源区前体进行光刻、注入和扩散，得到源区；在晶圆的正面形成介质块；在晶圆正面形成间隔设置的源电极和栅电极；在晶圆背面形成P+阳极层和金属层。这种Trench FS结构的绝缘栅双极型晶体管的制备方法不需要外延工艺，产能较高且成本较低。

主权项

一种Trench FS结构的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待加工的晶圆，并在所述晶圆背面形成FS层；在所述晶圆正面进行Trench光刻刻蚀，形成蚀刻槽，相邻的两个蚀刻槽之间形成Pboldy区前体；通过栅氧生长在所述蚀刻槽上沉积形成致密性栅氧层；在所述致密性栅氧层上沉积多晶硅栅，并且所述多晶硅栅和所述致密性栅氧层填充满所述蚀刻槽；对所述Pbody区前体进行注入和扩散，得到Pbody区，所述Pbody区与所述致密性栅氧层直接接触且裸露在外的区域称为源区前体，每个所述Pbody区中形成两个不相连的源区前体；对所述源区前体进行光刻，接着对所述源区前体进行注入和扩散，得到源区；在所述晶圆的正面形成介质块，所述介质块完全覆盖所述致密性栅氧层，所述多晶硅栅和所述源区被所述介质块隔开；在所述晶圆正面沉积金属，接着对所述金属进行光刻和刻蚀，形成间隔设置的源电极和栅电极，所述源电极覆盖所述Pbody区和所述源区，所述栅电极覆盖所述多晶硅栅；在所述晶圆背面进行硼离子注入和退火，形成层叠在所述FS层上的P+阳极层；对所述晶圆背面进行金属化，形成层叠在所述P+阳极层上的金属层。